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微电子所在2019 VLSI国际研讨会上展示最新研究进展

发布者:admin
日期:2019-07-14 18:13

微电子所在2019 VLSI国际研讨会上展示最新研究进展

微电子所在2019VLSI国际研讨会上展示最新研究进展稿件来源:微电子重点实验室张康玮罗庆发布时间:2019-06-24  近日,(简称国际研讨会)在日本召开。 微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。   交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器(如、、)高密度集成的主要障碍,研制具有高疲劳特性、高均一性的通用选通管对于实现上述存储器的高密度三维交叉阵列集成具有重要意义。

刘明院士团队设计了一种基于的高性能选通器件,通过对氧元素分布的调节与隧穿层的引入,实现了高开态电流密度()、高操作速度()、高疲劳特性。

在机理研究方面,基于变温测试结果及第一性原理计算,提出了基于热失控()结合肖特基势垒的电荷传输模型。 这为等新型存储器的高密度集成提供了解决方案。 上述研究成果以题为“的论文入选。

微电子所罗庆博士为第一作者,吕杭炳研究员和刘明院士为通讯作者。

  与、并称微电子技术领域的“奥林匹克盛会”,是超大规模集成电路和半导体器件领域里最顶尖的国际会议之一,也是展现技术最新成果的橱窗。

截止年的,中国大陆地区在技术研讨会总共入选论文篇,该论文是刘明院士团队继年之后的第二篇入选文章。

()选通管的基本特性;()通用选通管的设计思路;()选通管特性与新型存储器对选通管要求的对比。

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